DTD113ZSTP
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | DTD113ZSTP |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased + Diode |
Supplier Device-Gehäuse | SPT |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Leistung - max | 300 mW |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | SC-72 Formed Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Through Hole |
Frequenz - Übergang | 200 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 82 @ 50mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500 mA |
Grundproduktnummer | DTD113 |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DTD113ZSTPRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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